Данный способ позволяет расширить количество измерительных технологий при изготовлении мемристоров, которые выступают основой нового поколения устройств энергонезависимой памяти.
Сотрудники университета рассказали, что такая память работает гораздо быстрее, чем современная флеш-память. Кроме того, память на мемристорах позволит заменить оперативную память в компьютерах.
«Так как мемристор фиксирует в памяти пропущенный заряд, то в компьютерах можно исключить такое понятие как „загрузка системы“. Работа будет продолжаться с того места, на котором она остановлена в предыдущий раз. Более того, энергоэффективные вычислительные системы с возможностью фиксации текущего состояния даже после аварийного отключения питания — это сильный прорыв вперёд в области вычислительной техники», — подчеркнули в пресс-службе.
Ученые уверены, что перспективы «памяти» нового поколения огромны. Так, с ее помощью можно будет создать искусственный синапс в составном комплексе нейронных сетей.
«Сущность изобретения заключается в определении вероятностного распределения энергий из результатов измерения и анализа спектральной плотности мощности низкочастотного шума электронного тока через мемристор при фиксированной температуре», — отмечает главный научный сотрудник НИЛ «СтоЛаб» Аркадий Якимов.