Posted 18 июня 2018, 11:17
Published 18 июня 2018, 11:17
Modified 3 ноября 2022, 17:58
Updated 3 ноября 2022, 17:58
Samsung оштрафовали на 400 миллионов долларов за нарушение патента
Как сообщает газета «Известия» 18 июня, группа компаний нарушила соглашение между KAIST и производителем компьютерных компонентов Intel на производство транзистора по технологии FinFet. Он позволяет увеличить производительность микрочипа, а также уменьшает потребление энергии.
Представители Samsung заявили, что компания разрабатывала эту технологию совместно с Корейским институтом, поэтому это нельзя считать нарушением прав. В ближайшее время руководство планирует обжаловать решение окружного суда Техаса.
© Все права защищены. При использовании информации гиперссылка на сайт newsnn.ru обязательна. Полные правила
Сетевое издание «НьюсНН.ру». Средство массовой информации зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций,
регистрационный номер серия ЭЛ № ФС 77-74129 от 23 ноября 2018 г.
Учредитель: ООО «ПремьерМедиаИнвест»
Главный редактор: Вознесенская Дарья Дмитриевна
Телефон: 8 (915) 019-90-44 / +7 (499) 110-58-85
Электронный адрес: [email protected] / [email protected]
Адрес редакции: 109 044, Москва г, вн. тер. г. муниципальный округ Таганский, ул. Воронцовская, д. 20, этаж 2, ком. 14
Отдел рекламы: +7 (930) 210-47-00, [email protected]